晶体是核算机、通讯、航空、激光技能等范畴的要害资料。传统制备大尺度晶体的办法，通常是在晶体小颗粒外表“自下而上”层层堆砌原子，如同“盖房子”，从地基逐层“砌砖”，终究搭建成“屋”。

  北京大学科研团队在国际上创始出一种全新的晶体制备办法，让资料如“顶着上方结构往上走”的“顶竹笋”一般成长，可确保每层晶体结构的快速成长和均一排布，极大进步了晶体结构的可控性。这种“长资料”的新办法有望进步芯片的集成度和算力，为新一代电子和光子集成电路供给新的资料。这一突破性成果于7月5日在线发表于《科学》杂志。

  北京大学物理学院凝聚态物理与资料物理研究所所长刘开辉教授介绍，传统晶体制备办法的局限性在于，原子的品种、排布办法等需严厉挑选才干堆积结合，构成晶体。跟着原子数目继续不断的添加，原子摆放逐步不受控，杂质及缺点累积，影响晶体的纯度质量。为此，急需开发新的制备办法，以更准确操控原子摆放，更精密调控晶体成长进程。

  为此，刘开辉及其合作者原创提出名为“晶格传质-界面成长”的晶体制备新范式：先将原子在“地基”，即厘米级的金属外表排布构成第一层晶体，新参加的原子再进入金属与第一层晶体间，顶着上方已构成晶体层成长，不断构成新的晶体层。

  试验证明，这种“长资料”的共同办法可使晶体层架构速度到达每分钟50层，层数最高达1.5万层，且每层的原子排布彻底平行、准确可控，有很大成效避免了缺点堆集，进步了结构可控性。运用此新办法，团队现已制备出硫化钼、硒化钼、硫化钨等7种高质量的二维晶体，这些晶体的单层厚度仅为0.7纳米，而现在运用的硅资料多为5到10纳米。

  “将这些二维晶体用作集成电路中晶体管的资料时，可明显进步芯片集成度。在指甲盖巨细的芯片上，晶体管密度可得到大幅度的进步，以此来完成更强壮的核算才能。”刘开辉说，此外，这类晶体还可用于红外波段变频操控，有望推进超薄光学芯片的使用。